官方网站-竞博网
会员登录 | 免费注册 | 简体中文 | English | 日本語 | Руский
热门搜索: BQ76952  BQ76952Pf  MD630  TPS65910A1RSL  SN65HV  TPS650250QRHBRQ  
在线咨询

飞思卡尔热销《AFT26H200W03SR6》射频功率LDMOS晶体管

明佳达电子飞思卡尔热销《AFT26H200W03SR6》射频功率LDMOS晶体管

年份:15+ 

型号:AFT26H200W03SR6

封装:TO270 

说明

AFT26H200W03SR6N沟道增强型横向 MOSFET,这款 45 W非对称 Doherty 射频功率 LDMOS 晶体管设计用于用于需要非常宽的瞬时的蜂窝基站应用带宽能力覆盖 2496 - 2690 MHz 的频率范围。

• 典型的 Doherty 单载波 W-CDMA 性能:V DD = 28 V,I DQA = 500 mA,V GSB = 0.3 Vdc,P out = 45 Watts Avg.,输入信号PAR = 9.9 dB @ CCDF 的 0.01% 概率。

特征

• 高级高性能封装内 Doherty

• 专为宽瞬时带宽应用而设计

• 更大的负栅源电压范围以改善 C 类手术

• 专为数字预失真纠错系统而设计

• 在磁带和卷轴中。R6 后缀 = 150 个单位,56 毫米磁带宽度,13 英寸卷轴。

规格

晶体管类型
LDMOS
 
频率
2.5GHz
 
增益
14.1dB
 
额定电流(安培)
-
 
噪声系数
-
 
功率 - 输出
45W
 
封装/外壳
NI-1230-4S
 
供应商器件封装
NI-1230-4S
 
电压 - 测试
28 V
 
电流 - 测试
500 mA
 
电压 - 额定
65 V

实物图

AFT26H200W03SR6

联系方式:

qq:1668527835

电话:13410018555

邮箱:chen13410018555@163.com

竞博网:www.hkmjd.com

更多
点击数:0 | 更新时间:2021-07-21 10:53:47
Copyright © 2012-2013 竞博网 版权所有  粤ICP备05062024号
电话:86755-83957301    传真:0755-83957753    邮箱:sales@hkmjd.com
地址:深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241
XML 地图 | Sitemap 地图